电压门控钠离子通道与癫痫

吴江红(第三军医大学学员旅,重庆400038第三军医大学基础部生理学教研室,重庆400038);任栓成(第三军医大学学员旅,重庆400038第三军医大学基础部生理学教研室,重庆400038);杨秀明(第三军医大学学员旅,重庆400038第三军医大学基础部生理学教研室,重庆400038);杨明(第三军医大学学员旅,重庆400038第三军医大学基础部生理学教研室,重庆400038);杨云祥(第三军医大学学员旅,重庆400038第三军医大学基础部生理学教研室,重庆400038);朱志茹(第三军医大学基础部生理学

阅读：599 临床与病理杂志； 2013年33卷3

摘要

电压门控钠离子通道(voltage-gated sodium channels,VGSCs)在动作电位产生和传导中至关重要.近年来研究发现,VGSCs与癫痫发病机制有着密切关系,许多癫痫综合征的发生已被证明是由VGSCs相关突变引起,且VGSCs的两种亚基(α和β)的相关基因发生突变均可以引起癫痫发作.其中与癫痫相关的α亚基主要有Nav1.1,Nav1.2,Nav1.3,Nav1.6,Nav1.7以及Na等几种亚型.本文就电压门控钠离子通道相关基因突变致癫痫的研究进展进行综述,旨在提高对癫痫的认识.

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